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                                        JB／T 7621--94  
                              機械工業(yè)部．1994-12-09批準 1995—O6—O1實(shí)施
1 主題內容與通用范圍 
 本標準給出了電力半導體器件工藝用高純水(以下稱(chēng)高純水)的級別、技術(shù)要求、測試方法和規則。 
 本標準適用于去離子處理后的高純水。 
2 引用標準 
 GB11446電子級水及其檢測方法
3術(shù)語(yǔ) 
3．1 電導率electrical conductivityctricalconduc2ivity 
 在規定溫度下，1cm3水溶液兩相對面之間測得的電阻值的倒數。電導率通常以μS/cm為單位。水的理論電導率為0.0548μs/cm(25℃時(shí))。
3．2電阻率 resistivity 
 電導率之倒數。純水的理論電阻率為18.3MΩ.cm(25℃時(shí))。溫度升高時(shí)電阻率下降。
3．3顆粒性物質(zhì)granular sulbstance 
 除氣體以外，以非液態(tài)形式分散在水中，并形成非均勻相混合物的物質(zhì)。
3．4總有機碳(TOC)total organic carbon 
 水中以各種有機物形式存在的碳的總量。包括易被—般強氧化劑氧化的有機物和需用特殊化的有機物。
3．5總固體 total solid 
 水樣蒸發(fā)、烘干后殘留的固總量。
3. 6全硅 total silicon 
 水中可溶性硅和以二氧化硅膠體狀態(tài)存在的硅的總量。全硅和可溶性硅之差即叫為膠體硅。
3．7高純水high-pure water, ultrapure water
電阻率在5MΩ·cm以上，各種形式存在的物質(zhì)含量有一定規定限制的很純凈水 
3．8原水raw watcr 
 純化處理之前的水。常用的原水將自來(lái)水、井水、河水等。
3．9終端 terminal。 
 高純水生產(chǎn)流程中經(jīng)過(guò)各道沖化工藝后，水的出口使用地點(diǎn)�？煞謩e稱(chēng)為制水終端和用水
3．10微量micro-amount 
 試樣量在1mg左右。
3．11 痕量 trace amount
 試樣量在1μg左右。
3．12百萬(wàn)分之一(ppm) part per million 
重量比的量，相當于每百萬(wàn)重量的溶液中含一單位重量的溶質(zhì)。在水質(zhì)分析中，一殷也認為相當每升水樣含雜質(zhì)的毫克數(mg／L)。
3．13十億分之一(ppb)part per billion
重量比的單位，相當于每十億重量單位重量的溶液中含一單位重量的溶質(zhì)，在水質(zhì)分折中，一般認為相當于短升水樣含雜質(zhì)的微克數(μg／L)。

4高純水的級別 
4．1高純水可分為電子級高純水和普通高純水，分別用符號EH和pH標志
4. 2電子級高純水
4．2．1在制造工藝中使用電子級高純水的電力半導體器件有如下特點(diǎn)：
a．具有精細圖形結構；
b．對器件表面有特殊要求；
c．工藝對水質(zhì)有特定的嚴格要求。
4．2．2電子級高純水分為兩個(gè)級別：特級和I級。它們的標志分別是：
特級電子級高純水：EH—T
一級電子級高純水：EH—1
4．3普通高純水
4．3．1普通高純水用于一般電力半導體器件的制造工藝中。
4．3．2普雙高純水分為三個(gè)級別：Ⅰ級、Ⅱ級和Ⅲ級。它們的標志分別是：
I級普通高純水：pH—Ⅰ
x級普通高純水：PH—Ⅱ
m級普通高純水：pH—Ⅲ
4. 4電阻率低于5MΩ·cm的水不能稱(chēng)為高純水。

5技術(shù)要求
5．1電子級高純水
5．1．1電子級高純水應考核四項內容：
a. 水中自由離子濃度(主要影響電阻率)；
b．水中懸浮微粒的數量和大��；
C. 水中有機物總量；
d. 水中細菌微生物狀況。
5. 1. 2電子級高純水的各項技術(shù)指標由表1給出。
表l

5．2普通高純水 
5．2．1普通高純水主要考核其電阻率。 
5．2．2普通高純水的技術(shù)指標由表2給出。 
 表2 

6測試方法和檢驗規則 
6．1電阻率測試方法 
6．1．1用電導率儀測量高純水電阻率時(shí)： 
 a．電導池常數選川0.1—0.01cm-1； 
 b．被測高純水應處于密封流動(dòng)狀態(tài)，避免任何氣體混入，流速不低于0．3m/s。
6．1．2在t℃時(shí)測得的電阻率值ρt，用下式換算成25℃的電阻率ρ25 
　　　　ρ25=1/{αt(1/ρt-Gt)+0.05482}
式中：ρ25——２５℃時(shí)的電阻率ＭΩ.ＣＭ
　　　ρt——t℃時(shí)的電阻率ＭΩ.ＣＭ
　　　Gt——t℃時(shí)理論純水的電導率μＳ／ＣＭ，其值見(jiàn)附錄Ａ；
　　　αt——t℃時(shí)修正系數，其值見(jiàn)附錄Ａ；
　　　0.05482——t℃時(shí)理論純水的電導率μＳ／ＣＭ。
6.2其他技術(shù)指標測量方法
　　執行ＧＢ１１４４6.5~11446.11中有關(guān)規定。
6．3檢驗規則
6．3．1各個(gè)級別高純水的電阻率為經(jīng)常必測項目。
6．3．2對電子級高純水，用水單位還應根據生產(chǎn)要求制定對微粒數、痕量金屬、細菌、有機物及二氧化硅等各項技術(shù)指標的檢驗規則。
6．3．3制水工藝條件改變時(shí)，應及時(shí)對表1或表2中各項技術(shù)指標全面檢驗。
6．3．4所有測量均應在制水終端和用水點(diǎn)兩處測量。制水終端水的質(zhì)量稱(chēng)為制水水質(zhì)；用水點(diǎn)水的質(zhì)量稱(chēng)為用水水質(zhì)。對普通高純水，用水水質(zhì)和制水水質(zhì)應在同一級別上。對電子級高純，主要檢驗用水水質(zhì)，但應給出制水水質(zhì)作參考。制水水質(zhì)還用于檢驗制水設備和技術(shù)。
6．4檢驗標志
在高純水制水終端和用水點(diǎn)按要求進(jìn)行檢驗后，若水質(zhì)合格，應附標有下列內容的檢驗合格證：
　　a．高純水的級別標志；
　　b．要求檢測的技術(shù)指標及測量結果；
　　c. 制水單位；
　　d．連續供水開(kāi)始日期(普通高純水可無(wú)此項)；
　　e．檢驗員簽章及檢驗日期。

7取樣、存貯和運輸
7. 1. 高純水的取樣
7．1．1盛水容器必須使用塑料或硬質(zhì)玻璃容器。用于測定硅或分析痕量成分時(shí)。必須使用聚乙烯等塑料容器。
7．1．2取樣前，盛水容船應預先用洗滌劑清洗干凈，再用鹽酸(1十1)或10％硝酸溶液浸泡48H(分析陰離子用的容器除外)，然后用高純水沖洗干凈，再用高純水浸泡不少于6h。臨取樣時(shí)，用待測高純水沖洗容器小少于10次、方可取樣。
7．1．3采集水樣時(shí)，應先把管道中的積水放盡，并沖放5—10min，在流動(dòng)狀態(tài)取樣。以保證水樣有充分的代表性。
7．1．4取樣的體積約為容器體積的0.6—0.8，不得太滿(mǎn)。取樣后。應迅速把容器蓋嚴。
7．1. 5細菌分析采樣容器必須經(jīng)過(guò)高溫消毒處理。
7．2 高純水的貯存與運輸
7．2．1分析高純水中的陽(yáng)、陰離子時(shí)，采集的水樣可存放72H。細菌檢驗時(shí)，水樣存放時(shí)間不得大于4H。
7．2．2高純水在貯存和運輸時(shí)，應檢查容器益是否密封嚴密。裝有水樣的容器不能在太陽(yáng)下曝曬或放在高溫處。冬天要注意防凍。
7. 2．3高純水在貯存和運輸過(guò)程中；應定時(shí)記錄時(shí)間、溫度和氣候條件等。

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